收藏本站
Si1046R
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 °C, unless otherwise noted)
2.5
0. 8
V GS = 5 V thru 2 V
2.0
0.6
1.5
1.0
0.5
0.0
V GS = 1.5 V
V GS = 1.0 V
0.4
0.2
0.0
T J = 25 °C
T J = 125 °C
T J = - 55 °C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0.0
0.4
0. 8
1.2
1.6
2.0
1.0
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
100
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
0. 8
0.6
0.4
V GS = 1. 8 V
V GS = 2.5 V
8 0
60
40
C oss
C iss
0.2
V GS = 4.5 V
20
0.0
0
C rss
0.0
0.6
1.2
1. 8
2.4
3.0
0
4
8
12
16
20
5
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current
I D = 0.606 A
1. 8
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
4
3
V DS = 10 V
1.6
1.4
V GS = 4.5 V , I D = 0.606 A
V GS = 2.5 V , I D = 0.505 A
2
1
0
V DS = 16 V
1.2
1.0
0. 8
0.6
V GS = 1. 8 V , I D = 0.15 A
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
Document Number: 74595
S13-0195-Rev. D, 28-Jan-13
For technical questions, contact: pmostechsupport@vishay.com
www.vishay.com
3
This document is subject to change without notice.
THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
SI1046X-T1-GE3 MOSFET N-CH 20V 606MA SC89-3
SI1050X-T1-GE3 MOSFET N-CH D-S 8V SC-89-6
SI1051X-T1-E3 MOSFET P-CH 8V 1.2A SC89-6
SI1056X-T1-GE3 MOSFET N-CH D-S 20V SC-89-6
SI1058X-T1-GE3 MOSFET N-CH 20V SC89
SI1065X-T1-GE3 MOSFET P-CH 12V 1.18A SC89-6
SI1067X-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 1.06A SC89-6
SI1070X-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT563F
相关代理商/技术参数
SI1046RT1GE3 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 0.606A 3-Pin SC-75 T/R
SI1046R-T1-GE3 功能描述:MOSFET 20V 606mA 0.25W 420mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI1046X 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI1046X-T1-E3 功能描述:MOSFET 20V 0.606A 0.25W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI1046X-T1-GE3 功能描述:MOSFET 20V 606mA 0.25W 420mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI104-820 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:SMT Power Inductor
SI104-820K 制造商:DELTA 制造商全称:Delta Electronics, Inc. 功能描述:SMT Power Inductor
SI1050X 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 8-V (D-S) MOSFET